| 主权项 |
1.一种制造乾膜光阻之方法,其系藉由使一光固化 型树脂组成物于一撑体膜上形成1至50m之厚度及 选择性使一保护膜层合至该光固型组成物层上以 获得一乾膜光阻,藉此,该光固化型树脂系自一种 包含下述之均质混合物形成 (a)20-90重量%之硷可溶之黏着剂寡聚物或聚合物; (b)5至60重量%之一或更多之可与该组份(a)之寡聚物 及聚合物相容之光聚合型单体; (c)0.01至20重量%之一或更多之光起始剂; (d)0至20重量%之添加剂及/或辅助剂;及 (e)0.1至10重量%之化学式I之隐色三苯基甲烷 其中, R1系选自下述之残质 R2系C1-C12烷基或苯基,其可以C1-C6烷基、三氟甲基 、C1-6烷氧基、C1-6烷基硫基、卤素及硝基作单-、 二-或三-取代; R3系氢或C1-C12烷基; R4至R9彼此个别系氢或C1-C12烷基; X系O、S、NH或N-C1-C12烷基; (a)至(e)系100重量%。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,于化学 式I中, R1系选自下述之残质 R2系未经取代之苯基, R3系C1-C4烷基, R4系氢; R5及R7系C1-C4烷基。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该隐色 三苯基甲烷染料系如下化学式之4,4'-[(9-丁基-9H- 唑-3-基)伸甲基]双[N-甲基-N-苯基-苯胺] 4.如申请专利范围第1-3项之任一项所述之方法,其 中,组份d)包含如下化学式之二芳基碘 其中 X系分支之C3-C20烷基或C3-C8环烷基; X1系氢、线性之C1-C20烷基、分支之C3-C20烷基或C3-C8 环烷基;但附带条件系X及X1内之碳原子总数系至少 4; Y系线性之C1-C10烷基、分支之C3-C10烷基或C3-C8环烷 基; A-系非亲核性阴离子,其系选自(BF4)-,(SbF6)-,(PF6)-,(B( C6F5))4-,C1-C20烷基磺酸盐,C2-C20卤烷基磺酸盐,未经 取代之C6-C10芳基磺酸盐,樟脑-磺酸盐,C1-C20-全氟烷 基磺醯基甲基化物,C1-C20-全氟烷基磺醯基醯亚胺, 及C6-C10芳基磺酸盐,其系以卤素,NO2,C1-C12烷基,C1-C12 卤烷基,C1-C12烷氧基或以COOR1取代;且 R1系C1-C20烷基,苯基,苯甲基;或以C1-C12烷基,C1-C12烷 氧基或以卤素单-或多-取代之苯基。 5.一种乾膜光阻,其可藉由申请专利范围第1-4项之 任一项所述之方法获得。 6.一种制造乾膜光阻元件之方法,包含步骤 (A)使如上界定之组份(a)-(e)制得之光固化型树脂组 成物层于撑体膜上形成1至50m之厚度,且于该光 固化型组成物层上层合一保护膜以获得一乾膜光 阻; (B)使用前移除该保护膜,且于100-150℃时使该光固 化型组成物层热层合至用以涂敷该乾膜光阻之所 欲基材之表面上; (C)经由遮罩或藉由直接激光照射而曝露于辐射; (D)移除该撑体膜且藉由显影洗掉未经曝光(未经固 化)之区域。 7.一种乾膜光阻元件,其可藉由申请专利范围第6项 所述之方法获得。 8.一种如申请专利范围第1项所述之光固化型树脂 组成物(a)至(e)之用途,避免于100-150℃时使该光固 化型组成物层热层合至用于涂敷该乾膜光阻之所 欲基材期间之不利颜色产生。 9.一种如下化学式之4,4'-[(9-丁基-9H-唑-3-基)伸甲 基]双[N-甲基-N-苯基-苯胺]之用途, 以形成如申请专利范围第1项所述之光固化型树脂 组成物,其避免于100-150℃时使该光固化型组成物 层热层合至用于涂敷该乾膜光阻之所欲基材期间 之不利颜色产生。 10.一种如申请专利范围第7项所述之乾膜光阻元件 之用途,其系用于形成印刷电路板及LSI封装之铜电 路图案,如蚀刻光阻及电镀光阻,用于焊料光阻及 用于各种平面显示板应用形成电极或电极图案。 |
