| 主权项 |
1.一种萤光体,其具有磁铅酸盐型晶体结构,以及包 含至少一种选自B、Si、P、Ge、Ti、V、Ni、Ta、Nb、 Mo、W、Yb、Tm及Bi之元素。 2.如申请专利范围第1项之萤光体,该萤光体进一步 包含La。 3.如申请专利范围第1项之萤光体,该萤光体为进一 步包含Tb之绿萤光体。 4.如申请专利范围第1项之萤光体,该萤光体进一步 包含Mn。 5.如申请专利范围第1项之萤光体,该萤光体为进一 步包含Eu2+之蓝萤光体。 6.如申请专利范围第1项之萤光体,该萤光体显示为 式(La1-xTbx)(Mg1-aMna)(Al11-cVc)O19,其中x为0至0.5,a为0至0 .1及c为0.0001至0.01。 7.如申请专利范围第1项之萤光体,该萤光体显示为 式(La1-x-yTbxYby)(Mg1-a Mna)Al11O19,其中x为0至0.5,y为0. 0001至0.1及a为0至0.1。 8.如申请专利范围第1项之萤光体,该萤光体显示为 式(La1-x-yTbxSry)(Mg1-a-b-y MnaZnb)(Al11-c+yVc)O19,其中x为0 至0.5,y为0至0.1,a为0至0.1,b为0至0.1及c为0.0001至0.01 。 9.如申请专利范围第1项之萤光体,该萤光体显示为 式(La1-x-y-zTbxYbyGdz)(Mg1-aMna)Al11O19,其中x为0至0.5,y为0 .0001至0.1,z为0.00001至0.1及a为0至0.1。 10.如申请专利范围第1项之萤光体,该萤光体显示 为式(La1-x-y-zTbxYby Gdz)(Mg1-a-bMnaTib)Al11O19,其中x为0至 0.5,y为0.0001至0.1,z为0.00001至0.1,以及a为0至0.1及b为0 .0001至0.03。 11.如申请专利范围第1项之萤光体,该萤光体显示 为式(La1-x-yEuxTmy)Mg1-x Al11+xO19,其中x为0.001至0.15以 及y为0.0001至0.1。 12.一种萤光体,其具有一磁铅酸盐型晶体结构以及 显示为式(La1-x-y-zTbxYby Lnz)(Mg1-a-bMnaM'b)Al11O19+d,其中 x为0至0.5,y为0.0001至0.1,z为0.00001至0.1,a为0至0.1,b为0 .00001至0.03,d为-1至1,Ln为稀土元素或可形成具有离 子半径为1至1.4埃之阳离子之元素,M及M'各自为可 形成离子半径为0.7至1埃之阳离子之元素,以3d过渡 金属为典型代表例。 13.一种显示器装置,其包含一含纳如申请专利范围 第1至6项中任一项之绿萤光体的元件。 14.一种气体放电装置,其包含一含纳如申请专利范 围第1至6项中任一项之绿萤光体的元件。 图式简单说明: 第1图为本发明使用之萤光体之磁铅酸盐结构之示 意图; 第2图为PDP之示意透视图; 第3图为线图,显示元素号码与0.1秒后余晖比/CTS能 间之关系; 第4图为线图,显示根据本发明之实施例2,亮度与萤 光体之V浓度间之关系; 第5图为线图,显示根据本发明之实施例2,0.1秒后余 晖比与萤光体之V浓度间之关系; 第6图为线图,显示根据本发明之实施例3,亮度与萤 光体之Yb浓度间之关系; 第7图为线图,显示根据本发明之实施例3,0.1秒后余 晖比与萤光体之Yb浓度间之关系。 |
