发明名称 |
一种单栅双沟道像素结构 |
摘要 |
本发明公开了一种单栅双沟道像素结构,其中包括:一完成驱动的扫描配线和数据配线;两薄膜晶体管,两薄膜晶体管具有一栅极,两源极与一漏极,栅极和扫描配线电性连接,漏极与数据配线电性连接;一像素电极,该像素电极电性连接于两源极。本发明像素结构是采用两个薄膜晶体管对像素电极充电,相对于现有技术的像素结构中采用单个薄膜晶体管对像素电极充电,大幅度的提高了像素结构的充电能力;另外本发明能够保证Cgs整体的均一性,从而达到良好的显示效果;再者本发明如果一个薄膜晶体管遭到损坏,另一个仍能保持对像素电极的充电能力,从而降低了亮暗点的发生率。 |
申请公布号 |
CN1949513A |
申请公布日期 |
2007.04.18 |
申请号 |
CN200610152884.8 |
申请日期 |
2006.11.06 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
何祥飞;彭志龙 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L23/522(2006.01);G02F1/1368(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01) |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 |
代理人 |
刘芳 |
主权项 |
1、一种单栅双沟道像素结构,其特征在于,包括:一完成驱动的扫描配线和数据配线;两薄膜晶体管,所述两薄膜晶体管具有一栅极,两源极与一漏极,所述的栅极和扫描配线电性连接,所述漏极与数据配线电性连接;一像素电极,该像素电极电性连接于两源极。 |
地址 |
100016北京市朝阳区酒仙桥路10号 |