| 发明名称 | 研磨垫和利用该研磨垫制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了具有研磨层和垫层的用于研磨半导体晶圆的研磨垫，其特征在于所述研磨层由发泡聚氨酯构成，其弹性挠曲模数为250－350MPa，所述垫层由闭孔多孔状材料构成，其厚度为0.5－1.0mm，应变常数为0.01－0.08μm/(gf/cm<SUP>2</SUP>)。本发明提供了使用该研磨垫制造半导体器件的方法。上述研磨垫能使待研磨物品如半导体晶圆具有优异的平面性和均一性而不形成划痕。 | ||
| 申请公布号 | CN1950930A | 申请公布日期 | 2007.04.18 |
| 申请号 | CN200580012420.0 | 申请日期 | 2005.02.22 |
| 申请人 | 东洋橡胶工业株式会社 | 发明人 | 下村哲生;中森雅彦;山田孝敏;数野淳;小川一幸;中井良之 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01);B24B37/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/304(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 段晓玲 |
| 主权项 | 1.一种半导体晶圆研磨垫，所述研磨垫包含研磨层和垫层，其中所述研磨层由发泡聚氨酯构成，其挠曲模数为250-350MPa，所述垫层由闭孔泡沫构成，其厚度为0.5-1.0mm，应变常数为0.01-0.08μm/(gf/cm2)。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||