发明名称 |
共模扼流圈及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及共模扼流圈及其制造方法,其目的在于:提供能够实现小型化、薄型化及低成本化的共模扼流圈及其制造方法。共模扼流圈(1)包括用薄膜形成技术在由单结晶硅形成的硅基板(51)上形成绝缘层(60)、第1螺旋线圈部(11)、第2螺旋线圈部(12)及闭合磁路(141),整体上具有长方体状的外形。第1和第2螺旋线圈部(11、12),以其螺旋轴与硅基板(51)的基板面大体平行的方式形成。 |
申请公布号 |
CN1949412A |
申请公布日期 |
2007.04.18 |
申请号 |
CN200610141616.6 |
申请日期 |
2006.09.29 |
申请人 |
TDK株式会社 |
发明人 |
奥泽信之;吉田诚 |
分类号 |
H01F17/06(2006.01);H01F27/28(2006.01) |
主分类号 |
H01F17/06(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
杨凯;刘宗杰 |
主权项 |
1.一种其模扼流圈,其特征在于,包括第1螺旋线圈部和第2螺旋线圈部,所述第1螺旋线圈部具备在下部绝缘层上并排布置的多个细长状的第1导电层,在所述第1导电层的两端部形成的第2导电层,以及在所述第2导电层上形成的、其一个端部与所述第2导电层电气连接、另一端部与跟所述第2导电层正下面的所述第1导电层邻接的所述第1导电层上形成的所述第2导电层电气连接的第3导电层,由所述第1、第2、第3及第2导电层构成1匝线圈,所述第2螺旋线圈部的结构与所述第1螺旋线圈部相同。 |
地址 |
日本东京 |