二极管串ESD保护电路

摘要

一种二极管串ESD保护电路，包含有形成于一P型基底的多个串联的二极管元件，各该二极管元件包含有：一埋入式N⁺半导体层，植于该P型基底中；一P型阱，设于该埋入式N⁺半导体层之上；一P⁺掺杂区，设于该P型阱中，用来作为该二极管元件的阳极；以及一N⁺掺杂区，设于该P型阱中，用来作为该二极管元件的阴极；每个二极管的P型阱和埋入式N⁺半导体层由一深沟槽隔离与相邻的二极管隔离。相较于公知技艺，本发明设计出新颖的ESD保护元件，可应用于二极管串ESD保护电路，由于具有基极开路组态的寄生PNP双极晶体管的特色，因此有低漏电流的好处。

主权项

1.一种二极管串ESD保护电路，其特征是，包含有：形成于一P型基底的多个串联的二极管元件，各该二极管元件包含有：一埋入式N+半导体层，植于该P型基底中；一P型阱，设于该埋入式N+半导体层之上；一P+掺杂区，设于该P型阱中，用来作为该二极管元件的阳极；以及一N+掺杂区，设于该P型阱中，用来作为该二极管元件的阴极；每个二极管的P型阱和埋入式N+半导体层由一深沟槽隔离与相邻的二极管隔离。