只读存储器及其制造方法

摘要

本发明提供一种只读存储器及其制造方法。第一种程序化方法通过电压Vt注入和氧化法来调整只读存储单元的阈值电压，以得到四阶只读存储器。第一种和第二种ROM编码分别具有阈值电压Vt₁和Vt₂，分别进行一道和两道电压Vt注入制作过程及形成薄栅极氧化层。第三种和第四种ROM编码分别具有阈值电压Vt₃和Vt₄，分别进行一道和两道电压Vt注入制作过程及形成厚栅极氧化层。第二种程序化方法通过接触窗控制只读存储单元是否连接至位线，得到不会有注入编码偏移问题的二阶只读存储器。另外，上述两种程序化方法可以组合，这样每一只读存储单元拥有五种ROM编码可选择。

主权项

1.一种只读存储器，其特征在于，包括：基底；至少一个第一阱区及第二阱区，设置于该基底上，该第一阱区及该第二阱区分别用于进行第一Vt调整制作过程和第二Vt调整制作过程；以及薄栅极氧化层及厚栅极氧化层，分别覆盖至少一个进行过该第一Vt调整制作过程的第一阱区及至少一个进行过该第二Vt调整制作过程的第二阱区，使该只读存储器具有至少第一阈值电压、第二阈值电压、第三阈值电压及第四阈值电压。