| 发明名称 | 制备低介电薄膜的方法、原料混合物及该薄膜 | ||
| 摘要 | 一种通过调节此处公开的混合物中有机基团、例如甲基基团的量，来制备具有增强的机械性能、低介电常数有机硅酸盐(OSG)的化学气相沉积方法。在本发明一实施方案中，由包括含有3-4个Si-O键/Si原子、0-1个选自Si-H，Si-Br以及Si-Cl键中的一种键/Si原子、以及无Si-C键的第一含硅前体，以及一含有至少一个Si-C键/Si原子的第二含硅前体的混合物沉积得到OSG薄膜。在本发明另一实施方案中，由包括一种不对称含硅前体的混合物沉积得到OSG薄膜。在任一实施方案中，为提供一种多孔的OSG薄膜，混合物中还可以含有一种成孔剂前体。 | ||
| 申请公布号 | CN1311097C | 申请公布日期 | 2007.04.18 |
| 申请号 | CN200410071478.X | 申请日期 | 2004.05.28 |
| 申请人 | 气体产品与化学公司 | 发明人 | J·L·文森特;M·L·奥尼尔;R·N·弗蒂斯;A·S·鲁比斯;B·K·彼得森;M·D·比特纳 |
| 分类号 | C23C16/40(2006.01) | 主分类号 | C23C16/40(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 卢新华;刘冬 |
| 主权项 | 1.一种制备一种介电常数为4.0或者更低的有机硅酸盐玻璃薄膜的方法，所述方法包括：提供一种混合物，其选自下述中的一种：混合物(i)包括一含有3-4个Si-O键/Si原子、0-1个选自Si-H，Si-Br以及Si-Cl键中的一种键/Si原子、并且无Si-C键的第一含硅前体，和包括至少一个Si-C键/Si原子的第二含硅前体；以及混合物(ii)包括一种Si-C键数量与Si原子的数量比率低于1的不对称含硅前体；将混合物引入到一个含有基片的反应室；以及给反应室中的混合物施加能量以诱导反应并将有机硅酸盐玻璃薄膜沉积在基片上。 | ||
| 地址 | 美国宾夕法尼亚州 | ||