一种可去除残余硅的体硅MEMS与CMOS电路集成的方法

摘要

本发明公开了一种可去除残余硅的体硅MEMS与CMOS电路集成的方法，其是在原有工艺步骤(6)之后，采取以下工艺步骤：(7)在硅片正面形成金属掩模层；(8)光刻定义出MEMS结构区，用腐蚀液腐蚀金属层，去除光刻胶；(9)在硅片背面形成金属掩膜层；(10)光刻残余硅区域，采用光刻胶形成光刻胶掩膜层；(11)用光刻胶掩膜层掩膜进行DRIE各向异性刻蚀直至露出硅片背面的铝衬底，再进行1～2分钟的各向同性刻蚀去除隔离槽残余硅；(12)干法去除光刻胶掩膜层，用铝掩膜图形和金属掩膜层作掩膜，DRIE刻蚀释放MEMS硅结构；(13)用腐蚀液腐蚀硅片背面的金属层，用腐蚀液腐蚀硅片正面的金属掩膜层；(14)裂片，封装和测试。本发明方法完善了现有技术，大大提高了单片集成MEMS传感器的精度和稳定性。

主权项

1、一种可去除残余硅的体硅MEMS与CMOS电路集成的方法，包括以下工艺步骤：(1)在硅片上采用常规标准CMOS工艺完成集成电路部分的制作；(2)在所述硅片上淀积钝化层保护所述集成电路部分；(3)在CMOS电路和MEMS结构之间采用深槽刻蚀，形成隔离槽，在所述隔离槽内填充电绝缘介质；(4)在所述硅片的背面形成掩膜，腐蚀硅片，直至暴露出所述隔离槽底部的所述填充介质；(5)在所述硅片正面光刻定义腐蚀MEMS结构区和CMOS电路与MEMS结构接触孔区；(6)在硅片正面溅射钛层和铝层，光刻腐蚀得到铝掩膜图形和MEMS结构与电路之间的连线；其特征在于：在完成上述工艺步骤后，采取以下工艺步骤：(7)在硅片正面先溅射钨或钛或铬，然后溅射铝，形成硅片正面的金属掩模层；(8)光刻定义出MEMS结构区，用磷酸腐蚀铝，用腐蚀液腐蚀钨或钛或铬，去除光刻胶；(9)在硅片背面先溅射铝，然后溅射钨或钛或铬，形成硅片背面的金属掩膜层；(10)光刻残余硅区域，采用光刻胶形成光刻胶掩膜层；(11)用光刻胶掩膜层掩膜进行DRIE各向异性刻蚀直至露出硅片背面的铝衬底，再进行1～2分钟的各向同性刻蚀去除隔离槽残余硅；(12)干法去除光刻胶掩膜层，用所述步骤(6)形成的铝掩膜图形和硅片正面的金属掩膜层作掩膜，DRIE刻蚀释放MEMS硅结构；(13)用腐蚀液腐蚀硅片背面的钨或钛或铬，用磷酸腐蚀双面的铝，去除硅片背面的金属掩膜层，用腐蚀液腐蚀硅片正面的钨或钛或铬，去除硅片正面的金属掩膜层；(14)裂片，封装和测试。