发明名称 传感器附接结构和超声波传感设备
摘要 一种传感器附接结构包括:用来接收超声波的声学接收元件(20);附接至声学接收元件的超声波传感器(10)。该超声波传感器包括半导体基片(11),该半导体基片具有彼此相反的第一和第二表面以及从半导体基片的第一表面凹进从而在半导体基片中形成膜片(12)的基片凹陷部(13)。而且,盖元件(30)定位于声学接收元件和半导体基片之间以覆盖半导体基片的第二表面。另外,盖元件具有结合至声学接收元件的第一表面,以及在膜片的外周边区域处结合至半导体基片的第二表面同时在盖元件和膜片之间形成缝隙(31)的第二表面。
申请公布号 CN1949937A 申请公布日期 2007.04.18
申请号 CN200610128837.X 申请日期 2006.08.30
申请人 株式会社电装 发明人 吉田贵彦;杉浦真纪子;奥田泰行;长谷部雄太
分类号 H04R17/00(2006.01);G01S7/52(2006.01) 主分类号 H04R17/00(2006.01)
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 刘兴鹏
主权项 1.一种传感器附接结构,包括:用来接收超声波的声学接收元件(20);附接至声学接收元件(20)的超声波传感器(10),超声波传感器(10)包括半导体基片(11),该半导体基片(11)具有彼此相反的第一和第二表面以及从半导体基片的第一表面凹进从而在半导体基片中形成膜片(12)的基片凹陷部(13);和盖元件(30),其位于声学接收元件(20)和半导体基片(11)之间以覆盖半导体基片的第二表面;其中:膜片(12)设置为使得超声波传感器基于膜片(12)的振动检测超声波;和盖元件(30)具有结合至声学接收元件的第一表面,以及第二表面,所述第二表面在膜片的外周边区域处结合至半导体基片的第二表面同时在盖元件和膜片之间形成缝隙(31)。
地址 日本爱知县