一种ZnO基纳米线发光二极管及其制备方法

摘要

本发明涉及ZnO基纳米线发光二极管及其制备方法。ZnO基纳米线发光二极管是以ZnO为基，在衬底的一面自下而上依次沉积p－ZnO薄膜层，p－ Zn_1－xMg_xO薄膜层、0＜X＜0.5，ZnO纳米线阵列层和第二电极，在衬底的另一面沉积第一电极构成。其中的ZnO纳米线阵列层由垂直于衬底生长的n－ZnO纳米线构成，纳米线之间的间隙由有机光刻胶填充。本发明的发光二极管以ZnO纳米线作为有源层，发光效率高；ZnO同质结结构，界面晶格匹配性好，有利于提高器件的性能；通过对ZnO纳米线尺寸的调节，可得不同波段的出射光，制得紫外光、紫光或蓝光等多种发光器件。

主权项

1.一种ZnO基纳米线发光二极管，其特征是以ZnO为基，在衬底(1)的一面自下而上依次沉积有p-ZnO薄膜层(2)，p-Zn1-xMgxO薄膜层(3)、0＜X＜0.5，ZnO纳米线阵列层(4)和第二电极(7)，在衬底(1)的另一面沉积有第一电极(6)，其中的ZnO纳米线阵列层(4)由垂直于衬底生长且彼此具有间隙的n-ZnO纳米线构成，在n-ZnO纳米线之间的间隙填充有有机光刻胶(5)。