| 发明名称 | 半导体集成电路装置及电子装置 | ||
| 摘要 | 具有任意设定的漏电流检测倍率不取决于电源电压、温度或制造偏差，且易于检测漏电流的漏电流检测电路的半导体集成电路装置以及电子装置。半导体集成电路装置(100)从两个NchMIS晶体管的中间取出稳定的电位V<SUB>g2</SUB>，将以该电位作为栅极电位的NchMOS晶体管T<SUB>n5</SUB>的漏极电流使用电流镜电路(112)放大至任意倍率的电流值，并使该电流值流过其栅极与漏极连接的NchMOS晶体管T<SUB>n2</SUB>，将该NchMOS晶体管T<SUB>n2</SUB>的漏极电位V<SUB>g1</SUB>施加到漏电流检测NchMOS晶体管T<SUB>n1</SUB>的栅极。 | ||
| 申请公布号 | CN1948974A | 申请公布日期 | 2007.04.18 |
| 申请号 | CN200610136112.5 | 申请日期 | 2006.10.11 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 伊藤稔 |
| 分类号 | G01R19/165(2006.01);G05F3/16(2006.01) | 主分类号 | G01R19/165(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 邵亚丽;李晓舒 |
| 主权项 | 1、一种半导体集成电路装置，包括：参考电位生成电路；电流镜电路，将以所述参考电位生成电路的输出电位作为栅极电位的MIS晶体管的漏极电流放大或削弱至任意倍率的电流值；以及漏电流检测电路，由以所述电流镜电路的输出电位作为栅极电位的MIS晶体管构成。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||