发明名称 形成集成的多频带薄膜体声谐振器
摘要 可以使用光刻技术在同一集成电路上形成多带薄膜体声谐振器。结果,可以实现可再生产部件的大量生产,其中如此加工的谐振器被设计为具有不同频率。
申请公布号 CN1951005A 申请公布日期 2007.04.18
申请号 CN200580014245.9 申请日期 2005.04.13
申请人 英特尔公司 发明人 Q·马;L-P·王;D·沈;瓦卢里·拉奥
分类号 H03H3/04(2006.01);H03H9/205(2006.01);H01L41/08(2006.01) 主分类号 H03H3/04(2006.01)
代理机构 北京嘉和天工知识产权代理事务所 代理人 严慎
主权项 1.一种方法,包括:在同一集成电路上以光刻方式限定至少两个不同频率的薄膜体声谐振器。
地址 美国加利福尼亚州