发明名称 CMOS图像传感器
摘要 本发明涉及一种CMOS图像传感器。在本发明实施例中,CMOS图像传感器包括具有有源区的半导体衬底。光电二极管和多个晶体管可以在所述有源区上形成。所述有源区在复位晶体管下方具有可变宽度的部分。本发明的COMS图像传感器能够防止从光电二极管到复位晶体管的电位泄漏。
申请公布号 CN1949526A 申请公布日期 2007.04.18
申请号 CN200610137342.3 申请日期 2006.10.13
申请人 东部电子股份有限公司 发明人 全寅均
分类号 H01L27/146(2006.01) 主分类号 H01L27/146(2006.01)
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 王玉双
主权项 1.一种设备,包括:半导体衬底,其包括有源区;光电二极管,其形成在所述有源区上;和至少一晶体管,其形成在所述有源区上,其中所述有源区的一部分具有可变宽度。
地址 韩国首尔