| 发明名称 | 利用N<SUB>2</SUB>O在碳化硅层上制造氧化物层的方法 | ||
| 摘要 | 通过在N<SUB>2</SUB>O环境中氧化碳化硅或者在N<SUB>2</SUB>O环境中退火碳化硅层上的氧化物层中的至少一种方式来形成氧化物层，提供在碳化硅层上制造氧化物层的方法。最好在氧化或退火期间提供N<SUB>2</SUB>O的预定温度分布和预定流速分布。预定温度分布和/或预定流速分布可以是恒定的或可变的，可以包含到稳定状态条件的斜坡。选择预定温度分布和/或预定流速分布，以便用SiC的导带附近的能量降低氧化物/碳化硅界面的界面态。 | ||
| 申请公布号 | CN1311534C | 申请公布日期 | 2007.04.18 |
| 申请号 | CN01816726.8 | 申请日期 | 2001.10.01 |
| 申请人 | 克里公司 | 发明人 | L·利普金;M·K·达斯;J·W·帕尔穆尔 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01);H01L21/469(2006.01);H01L27/04(2006.01);H01L29/24(2006.01) | 主分类号 | H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 肖春京;黄力行 |
| 主权项 | 1.一种在碳化硅层上制造具有碳化硅层和氧化物层的碳化硅结构的方法，所述方法的特征在于以下至少一个：利用预定温度分布和流速分布在包括N2O的环境中退火已有的氧化物，预定温度分布包括大于1100℃的退火温度，流速分布包括提供至少11秒的N2O初始驻留时间的流速；或利用预定温度分布和N2O流速分布和在N2O环境中氧化碳化硅层，预定温度分布包括至少1200℃的氧化温度，流速分布包括提供至少11秒的N2O初始驻留时间的流速。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗来纳州 | ||