在介电基片的基础上制造片状工件的方法和用于该制造方法的真空处理设备

摘要

在第一真空涂覆站(102)中用一个层面涂覆介电基片(100)，层面的材料具有电阻率(ρ)，对于该电阻率有10^－5Ωcm≤ρ≤10^－1Ωcm，并且因此得出的面电阻处在以下的范围内：0＜R_S≤10⁴Ω□。然后所涂覆的基片(104)在一个站(105)中经受反应性高频等离子处理步骤。

主权项

1.用于在介电基片(100)的基础上制造片状的工件的方法，所述方法包括在等离子处理室(PR)中的处理，所述处理室(PR)在真空容器中形成于两个相互对置的电极面(2a；EF1、2b；EF2)之间，其中在所述电极面之间产生高频电场，并由此在充以反应气体的处理室(PR)中产生高频等离子放电，在此一个电极面(2b、EF2)由介电的材料构成，在该电极面(2b、EF2)上施加具有沿所述面预先给定的变化分布的高频电位(φ2b)，并且通过在介电的电极面(2b、EF2)上的电位分布(φ2b)来调节在等离子处理室(PR)中的所述电场的分布，在此用基片形成所述介电的电极面(2b、EF2)，或者把所述基片布置在金属构成的另一个电极面(2a、EF1)上，在对置于所述基片的电极面处从开口模式(29)向处理室(PR)中引入反应气体，其特征在于，在所述等离子处理室(PR)中进行处理之前，用层面材料至少部分地涂覆所述介电的基片(100)，对于所述层面材料的电阻率ρ有：10-5Ωcm≤ρ≤10-1Ωcm。并且对于所述层的面电阻有：0≤RS≤104Ω□ 然后所涂覆的基片被布置在金属的电极面(2a、EF1)上，并且在等离子处理室(PR)中反应性等离子支持地被蚀刻或者涂覆。