发明名称 具有改进的散热能力的半导体器件封装
摘要 一种芯片级封装包括半导体MOSFET芯片,该芯片带有覆盖以光敏液体环氧树脂的上部电极表面,所述光敏液体环氧树脂被光刻构图以露出电极表面部分,并且起到了钝化层和焊接掩膜的作用。随后在钝化层上形成可焊接触点层。单个芯片被以漏极一侧向下的方式安装在金属夹具内,或者可以按照使漏极与从密封封装底部伸出的凸缘共面的方式安装。所述金属夹具或漏极夹具带有多个平行间隔的、从其朝外的表面延伸的散热片。
申请公布号 CN1311548C 申请公布日期 2007.04.18
申请号 CN02820159.0 申请日期 2002.10.09
申请人 国际整流器公司 发明人 查尔斯S·卡特韦尔
分类号 H01L23/34(2006.01) 主分类号 H01L23/34(2006.01)
代理机构 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 代理人 葛强;方挺
主权项 1.一种半导体器件,包括:半导体芯片,它具有置于其第一主要表面上的第一电极以及置于其第二主要表面上的第二电极;导电的连接板部分,它具有与所述第一电极电连接的第一主要表面;多个导热结构,它们从所述连接板部分的第二主要表面向外延伸,所述连接板部分的所述第二主要表面与所述连接板部分的所述第一主要表面相对设置;以及至少一个导电接头,其从所述连接板部分的一边按照远离所述连接板部分的所述第一主要表面的方向延伸,其中,所述半导体芯片的所述第二电极适于直接与导电焊盘电连接和机械连接,并且所述导电接头包括用于与其他导电焊盘电连接和机械连接的连接表面,由此,所述半导体器件可通过导电粘合剂外部地连接到具有所述导电焊盘的基底上,而无需使用辅助元件来进行所述外部连接。
地址 美国加利福尼亚州