发明名称 |
应力致偏保偏光纤应力双折射值的测量方法 |
摘要 |
本发明涉及用在光纤相干通讯和光纤传感器领域,应力致偏保偏光纤应力双折射值的测量方法。技术措施包括如下步骤:取出应力区和芯区的样品,测量应力区样品B元素的含量,测量芯区样品Ge元素的含量;把光纤小段端面喷镀1μm~2μm厚的导电膜,利用电子探针设备做原子衬度的面扫描和Ge成分的线扫描,清理掉原子衬度的面扫描图像中的杂质疵点;把处理后的原子衬度面扫描图像输入MATLAB工程软件中,利用光纤的应力双折射计算公式和应力区掺杂浓度计算得出光纤的应力双折射数值。用本发明的保偏光纤的测量方法获得应力区和芯区的实际几何形状和精确掺杂浓度,为通过理想应力元几何形状的选择和合理掺杂浓度的选取进行新型保偏光纤的设计提供了手段。 |
申请公布号 |
CN1311229C |
申请公布日期 |
2007.04.18 |
申请号 |
CN200410043789.5 |
申请日期 |
2004.08.11 |
申请人 |
哈尔滨工业大学 |
发明人 |
李美成;刘礼华;肖天鹏;赵连城 |
分类号 |
G01M11/00(2006.01);G01N21/23(2006.01) |
主分类号 |
G01M11/00(2006.01) |
代理机构 |
哈尔滨市松花江专利商标事务所 |
代理人 |
牟永林 |
主权项 |
1、应力致偏保偏光纤应力双折射值的测量方法,其特征是它包括如下步骤:(一)掺杂元素浓度的测量:以保偏光纤预制棒为原材料,采用晶体切割刀横向将其切成厚度为2mm-5mm的圆片,应力的释放使圆片的应力区中产生很多微裂纹;然后分别取出应力区和芯区的样品,测量应力区样品B元素的含量,测量芯区样品Ge元素的含量;与掺杂元素浓度测量的同时确定应力区和芯区的几何形状:取保偏光纤,将其用光纤切割器切割下若干光纤小段做样品,保持切割端面的清洁,把若干根光纤小段插入铝环圈中并在光纤小段与铝环圈之间注入胶进行粘固,然后用酒精滴拭光纤小段的端面,把光纤小段端面放入蒸镀容器中喷镀1μm~2μm厚的导电膜,利用电子探针设备做原子衬度的面扫描和Ge成分的线扫描并把扫描所得信息输入计算机,获得保偏光纤应力区和芯区的实际几何形状;(二)采用图像处理软件清理掉原子衬度的面扫描图像中的杂质疵点;(三)把处理后的原子衬度面扫描图像输入MATLAB工程软件中,利用光纤的应力双折射计算公式和应力区掺杂浓度计算得出光纤的应力双折射数值。 |
地址 |
150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |