| 发明名称 | 具有埋设金属硅化物位线的金属氧氮氧半导体装置 | ||
| 摘要 | 一种金属氧氮氧半导体(MONOS)装置及其制造方法，具有形成于基材(30)上的诸如氧氮氧层(34、36、38)的电荷捕捉介电层(32)，一凹部(44)系贯通该氧氮氧层(32)而形成于该基材(30)中，在该凹部(44)中形成金属硅化物位线(48)并在该金属硅化物位线(48)的上方形成位线氧化物(54)，而字符线(56)则形成于该氧氮氧层(32)及该位线氧化物(54)之上，并且提供低电阻的硅化物(58)于该字符线(56)的上方，该硅化物(58)系由例如激光热退火所形成者。 | ||
| 申请公布号 | CN1311557C | 申请公布日期 | 2007.04.18 |
| 申请号 | CN02825173.3 | 申请日期 | 2002.12.11 |
| 申请人 | 飞索股份有限公司 | 发明人 | J·奥乌拉;M·T·拉姆斯比;A·哈利亚尔;Z·克里沃卡皮奇;M·V·恩戈;N·H·特里普萨斯 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种形成金属氧氮氧半导体装置的方法，该方法包括下列步骤：在衬底上形成电荷捕捉介电层；依照位线图案蚀刻出一贯穿该电荷捕捉介电层且深入至该衬底的凹部；在该凹部中形成金属硅化物位线；以及在该凹部中形成氧化物，以使该金属硅化物位线成为完全包含在该衬底内的埋设位线。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||