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发明名称 Heterostructure semiconductor device with increased-drain efficiency of excess carriers and its fabrication method
摘要
申请公布号 KR100709069(B1) 申请公布日期 2007.04.18
申请号 KR20050076237 申请日期 2005.08.19
申请人 发明人
分类号 H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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