发明名称 |
负特性热敏电阻制造方法 |
摘要 |
一种负特性热敏电阻及其制造方法,该负特性热敏电阻是一种将过渡金属氧化物作为主成分、并具有内部电极的负特性热敏电阻,在内部电极形成材料中含有Cu或Cu的化合物。最好在内部电极形成材料及外部电极形成材料中含有Cu或Cu的化合物。而且,通过控制烧制时的温度曲线、炉内氧浓度、及冷却条件,而对扩散至上述热敏电极基体的上述内部电极附近的Cu的量进行调节。这种具有内部电极的负特性热敏电阻,可实现更低电阻化、且可防止电镀时的镀膜生长。并且该负特性热敏电阻的制造方法与现行相比可在大范围内进行电阻值的调整和B常数的调整。 |
申请公布号 |
CN1311482C |
申请公布日期 |
2007.04.18 |
申请号 |
CN03133051.7 |
申请日期 |
2003.07.23 |
申请人 |
株式会社村田制作所 |
发明人 |
柿原佐斗志;石井武彦;流田贤治;川濑政彦;藤田聪 |
分类号 |
H01C17/00(2006.01);H01C7/04(2006.01) |
主分类号 |
H01C17/00(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
黄永奎 |
主权项 |
1.一种负特性热敏电阻的制造方法,其特征在于:包括准备将过渡金属氧化物作为主成分的热敏电阻基体用陶瓷生片的第1工序、在上述陶瓷生片上涂覆以除Cu之外的金属粉末为主成分且含有Cu或Cu的化合物的任一种的内部电极用导电糊、形成内部电极层的第2工序、任意地积层上述第1工序或第2工序的生片并形成具有对向的平面的层压体的第3工序、烧制上述层压体而形成烧制体的第4工序、和在上述烧制体的两端部烧制形成外部电极的第5工序,在上述第4工序中,具有以最高温度为1000~1350℃、且在氧比率为20~80%的环境中烧制上述层压体,使Cu从上述内部电极向上述热敏电阻基体的内部扩散,并且在烧制的最高温度后的冷却过程中,将冷却速度设为100~300℃/小时的工序,在上述第5工序中,包括使Cu从上述内部电极和上述外部电极向上述热敏电阻基体的内部扩散的工序。 |
地址 |
日本京都府 |