| 发明名称 | 基于自组装技术的交叉阵列结构有机器件制备方法 | ||
| 摘要 | 一种交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法，其工艺步骤如下：1.在基片表面上淀积绝缘薄膜；2.在绝缘薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到下电极图形；3.蒸发、剥离金属得到交叉线下电极；4.旋涂抗蚀剂，光刻得到与下电极交叉的上电极图形；5.蒸发、剥离金属得到上电极；6.液相法自组织生长有机分子材料；7.干法刻蚀多余的有机分子材料，完成交叉线有机分子器件的制备。 | ||
| 申请公布号 | CN1949475A | 申请公布日期 | 2007.04.18 |
| 申请号 | CN200510109338.1 | 申请日期 | 2005.10.13 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 王丛舜;胡文平;涂德钰;姬濯宇;刘明 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L51/40(2006.01) | 主分类号 | H01L21/82(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 段成云 |
| 主权项 | 1、一种交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法，其结构的形成是由两次光刻、两次金属剥离获得的交叉线阵列结构，再在此基础上自组织生长有机材料，然后等离子体干法刻蚀，获得交叉线有机分子器件；其特征在于，其步骤如下：步骤1、在基片表面上淀积绝缘薄膜；步骤2、在绝缘薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到电极图形；步骤3、蒸发、剥离金属得到交叉线下电极；步骤4、旋涂抗蚀剂，光刻得到与下电极交叉的上电极图形；步骤5、蒸发、剥离金属得到上电极；步骤6、液相法自组织生长有机分子材料；步骤7、等离子体干法刻蚀，完成交叉线有机分子器件的制备。 | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||