| 发明名称 | 瓶型沟渠的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种瓶型沟渠(bottle－shaped trench)的形成方法，包括下列步骤：提供一半导体衬底。于该半导体衬底中形成一沟渠。在该沟渠中形成一离子注入掩模层，露出该沟渠的上部侧壁表面。对上部侧壁表面进行一抑制氧化的离子注入工艺。去除该离子注入掩模层，露出该沟渠的下部侧壁表面以及底部表面。进行一热氧化工艺，使沟渠的表面形成一氧化层，其中上部侧壁表面上的氧化层厚度远小于下部侧壁表面以及底部表面的氧化层厚度。并且移除氧化层，而形成该瓶型沟渠。 | ||
| 申请公布号 | CN1949460A | 申请公布日期 | 2007.04.18 |
| 申请号 | CN200510106791.7 | 申请日期 | 2005.10.12 |
| 申请人 | 茂德科技股份有限公司 | 发明人 | 陈全基;苏扬尧 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L21/8242(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种瓶型沟渠的形成方法，包括下列步骤：提供一半导体衬底；于该半导体衬底中形成至少一沟渠；在该沟渠中形成一离子注入掩模层，以露出该沟渠的上部侧壁表面；对该沟渠的该上部侧壁表面进行一倾斜离子注入工艺，其中注入的离子为抑制氧化掺杂；移除该离子注入掩模层，以露出该沟渠的下部侧壁表面以及底部表面；进行一热氧化工艺以形成一氧化层于该沟槽表面上，其中该氧化层位于该上部侧壁表面的厚度小于位于该下部侧壁表面以及该底部表面的厚度；及移除该上部与该下部侧壁表面、以及该底部表面的该氧化层，而形成该瓶型沟渠。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园 | ||