| 摘要 |
1. Использование димерной добавки общей формулы I в водных композициях для промывки с целью снижения дефектов полупроводниковых подложек после проявления фоторезиста или фотолитографических шаблонов:в которой:X представляет собой двухвалентную группу, для каждого повторяющегося звена от 1 до n, независимо выбранную из(a) линейного или разветвленного С-Салкандиила, который необязательно может быть замещен и который необязательно может быть прерван до 5 гетероатомами, выбранными из О и N,(b) С-Сциклоалкандиила, который необязательно может быть замещен и который необязательно может быть прерван до 5 гетероатомами, выбранными из О и N,(c) С-Сорганической группы формулы -Х-А-Х-, где Xи Xнезависимо друг от друга выбраны из C-Cлинейного или разветвленного алкандиила, и A выбран из C-Cароматического фрагмента или С-Сциклоалкандиила, атомы водорода которых могут быть необязательно замещены, и атомы углерода которых необязательно могут быть прерваны до 5 гетероатомами, выбранными из О и N,(d) полиоксиалкиленового бирадикала формулы II:где р равен 0 или 1, R представляет собой целое число от 1 до 100; Rвыбран из водорода (Н) и линейной или разветвленной C-Cалкильной группы;Rи Rявляются одновалентными группами, независимо выбранными из Н, линейного или разветвленного C-Cалкила, С-Сциклоалкила, С-Сарила, С-Салкиларила, С-Сарилалкила, С-Сгидроксиалкила или С-Соксиальсиленовых гомо- или сополимеров, все из которых необязательно могут быть дополнительно замещены;Rи Rявляются одновалентными группами, независимо выбранными из линейной или разветвленной С-Салкильной группы, С-Сциклоалкила, C-Cгидроксиалкила и С-Соксиалкиленовых гомо- или сополимеров, каждый из которых может необязательно быть |
