| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件，它能使位于半导体芯片周围的输入输出电路部，不招致ESD保护晶体管的击穿，又能将侵入电极焊接区的静电放电保护内部电路。各输入输出单元(IOC)，配备多个ESD保护晶体管(OT)。电极焊接区单元(Pad)由下侧的电极焊接区(50)和上侧的电极焊接区(51)的2层结构构成。配置该电极焊接区单元(PAD)，使之覆盖配备在自己的单元(IOC)上的ESD保护晶体管(OT)的连接布线(16)的上方。邻接的电极焊接区(50)的第1焊接区部(50a)位于电极焊接区(50)的第2焊接区部(50b)的端部，该第2焊接区部(50b)虽然不延伸到前方，但是，比该第2焊接区部(50b)宽度更窄的第3焊接区部(50c)配置在前方。 | ||
| 申请公布号 | CN1311543C | 申请公布日期 | 2007.04.18 |
| 申请号 | CN200410031476.8 | 申请日期 | 2004.03.29 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 谷口公一;野尻尚纪 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01);H01L27/02(2006.01);H01L23/60(2006.01) | 主分类号 | H01L21/82(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件，包括多个：具有输出晶体管的单元，所述输出晶体管兼用对于静电放电用来保护内部电路的保护用晶体管，并且所述输出晶体管被形成在衬底上；电极焊接区，其将来自上述输出晶体管的输出向外部输出；以及连接布线，用于连接所述保护用晶体管和所述电极焊接区，其特征在于，多个所述电极焊接区作为整体成交错状配置，同时，所述电极焊接区从上方完全覆盖所述连接布线。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||