| 发明名称 | 动态随机存取存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种动态随机存取存储器，包括衬底、有源元件与深沟渠式电容器。衬底具有沟渠与深沟渠。有源元件设置于衬底上，此有源元件包括栅极结构与掺杂区。栅极结构设置衬底上，且填满沟渠。掺杂区设置于栅极的第一侧的衬底中。深沟渠式电容器设置于栅极的第二侧的该衬底的该深沟渠中，第二侧与第一侧相对，且深沟渠式电容器的上电极邻接沟渠底部。 | ||
| 申请公布号 | CN1949519A | 申请公布日期 | 2007.04.18 |
| 申请号 | CN200510106792.1 | 申请日期 | 2005.10.12 |
| 申请人 | 茂德科技股份有限公司 | 发明人 | 简荣吾 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01);H01L21/8242(2006.01) | 主分类号 | H01L27/108(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种动态随机存取存储器，包括：一衬底，具有一沟渠与一深沟渠；一有源元件，设置于该衬底上，该有源元件包括：一栅极结构，设置该衬底上，且填满该沟渠；以及一掺杂区，设置于该栅极结构的一第一侧的该衬底中；一深沟渠式电容器，设置于该栅极的一第二侧的该衬底的该深沟渠中，该第二侧与该第一侧相对，且该深沟渠式电容器的一上电极邻接该沟渠底部。 | ||
| 地址 | 台湾新竹科学工业园 | ||