发明名称 ガスバリアー性フィルムの製造方法、ガスバリアー性フィルム及び電子デバイス
摘要 本発明の課題は、高温高湿の使用環境下でも優れたガスバリアー性を維持し、かつフレキシブル性(屈曲性)及び密着性に優れたガスバリアー性フィルムの製造方法及びガスバリアー性フィルムと、それを用いた電子デバイス素子を提供することである。本発明のガスバリアー性フィルムの製造方法は、樹脂基材の一方の面上に、炭素原子、ケイ素原子及び酸素原子を含有するガスバリアー層を備え、該樹脂基材のガスバリアー層を有する面とは反対側の面上に導電層を有するガスバリアー性フィルムの製造方法であって、前記ガスバリアー層は、有機ケイ素化合物を含む原料ガスと酸素ガスとを用いて、磁場を印加したローラー間に放電空間を有する放電プラズマ化学気相成長法により形成し、前記導電層は、23℃、50%RHの環境下における表面比抵抗値が1×103〜1×1010Ω/□の範囲内にあることを特徴とする。
申请公布号 JPWO2014061597(A1) 申请公布日期 2016.09.05
申请号 JP20140542112 申请日期 2013.10.11
申请人 コニカミノルタ株式会社 发明人 江連 秀敏
分类号 B32B27/00;B32B7/02;B32B9/00;C23C16/42;C23C16/509 主分类号 B32B27/00
代理机构 代理人
主权项
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