ナノワイヤデバイスの活性領域の平坦化および規定のための絶縁層

摘要

多様な実施形態は、半導体デバイスの製造方法を含み、該製造方法は、複数のナノワイヤであって各ナノワイヤが第１導電型の半導体コアと該コアの上の第２導電型の半導体シェルとを含む複数のナノワイヤを基台上に形成する工程と、絶縁材料の層を、前記絶縁材料の層の少なくとも一部が実質的に平らな上面を与えるように、前記複数のナノワイヤの少なくとも一部の上に形成する工程と、ナノワイヤの活性領域を規定するように前記絶縁材料の層の一部を除去する工程と、前記絶縁材料の層の前記実質的に平らな上面の上に電気接触を形成する工程と、を有する。