| 发明名称 | 用于形成半导体器件接触孔的方法 | ||
| 摘要 | 提供一种形成半导体器件接触孔的方法。在衬底上方形成导电图案。在衬底上方形成绝缘层以包埋导电图案。在绝缘层和导电图案上方顺序形成包括无定形碳层和氧化物基层的硬掩模。选择性刻蚀无定形碳层和氧化物层以形成掩模图案。利用掩模图案作为掩模刻蚀绝缘层以形成接触孔。 | ||
| 申请公布号 | CN1949473A | 申请公布日期 | 2007.04.18 |
| 申请号 | CN200610090343.7 | 申请日期 | 2006.06.29 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李圣权 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/311(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体器件接触孔的方法，包括：在衬底上方形成多个导电图案；在衬底上方形成绝缘层以包埋导电图案；在绝缘层和导电图案上方顺序形成包括无定形碳层和氧化物基层的硬掩模；选择性刻蚀无定形碳层和氧化物层以形成掩模图案；和利用掩模图案作为掩模刻蚀绝缘层以形成接触孔。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||