发明名称 一种具有可逆电双稳信息存储功能的有机薄膜器件
摘要 本发明属于分子基电子器件和铁电薄膜技术领域,具体涉及一种在室温下具有可逆电双稳特性的有机薄膜器件。器件结构为:金属-有机-金属(M<SUB>1</SUB>-Organic-M<SUB>2</SUB>)结构。其中,二端的金属层做电极,中间的有机层(包括金属-有机界面)作为功能层。该器件可通过正向及反向电压脉冲的激发而实现高阻态(“0”态)和低阻态(“1”态)的转变,相当于信号的写入和擦除。当外电场撤除时,其两种状态信息长时间保持,并且被一小电压脉冲读取。在相同读取电压作用下,两种导电态的阻值比达到10万倍。本发明提出的薄膜器件在信息存贮、信息处理以及逻辑运算领域有广泛的使用价值。
申请公布号 CN1949555A 申请公布日期 2007.04.18
申请号 CN200610118106.7 申请日期 2006.11.09
申请人 复旦大学 发明人 郭鹏;吕银祥;徐伟
分类号 H01L51/05(2006.01) 主分类号 H01L51/05(2006.01)
代理机构 上海正旦专利代理有限公司 代理人 陆飞;盛志范
主权项 1、一种具有可逆电双稳信息存储功能的有机薄膜器件,其特征在于由底电极、有机薄膜和顶电极构成,为M1-Organic-M2夹层结构;其中,二端的M1和M2分别为金属层,作底电极和顶电极,厚度分别为80-200纳米,中间的Organic为有机层,做功能介质层,厚度为50-120纳米,这里金属层M1和M分别采用Ag、Cu或Al,有机层Organic材料为2-(六氢嘧啶-2-亚基)丙二腈,记为HPYM,该器件可通过正向和反向的电压脉冲激发来实现信号的写入和擦除,并用小电压信号读出。
地址 200433上海市邯郸路220号