发明名称 |
在半导体晶片上形成划线的方法以及用以形成这种划线的设备 |
摘要 |
制备了包括有表面上通过半导体晶片生产过程形成了许多图案化半导体器件的硅晶片(50),于硅晶片(50)上涂布透明膜以覆盖许多半导体器件。将这种具有透明膜的半导体晶片即硅晶片(50)置于转台(26)上,以此硅晶片的未被透明膜覆盖的背面朝上背离转台(26),沿着用于将此半导体晶片分成许多半导体芯片的划线形成线条由激光束加热上述背面以形成激点,所加热的温度则低于半导体晶片的软化点,同时沿此划线形成线条连续地冷却此激点附近的区域。 |
申请公布号 |
CN1311528C |
申请公布日期 |
2007.04.18 |
申请号 |
CN02821799.3 |
申请日期 |
2002.10.28 |
申请人 |
三星钻石工业股份有限公司 |
发明人 |
若山治雄 |
分类号 |
H01L21/301(2006.01);B28D5/00(2006.01);B23K26/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/301(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
肖春京;杨松龄 |
主权项 |
1.用于在半导体晶片上形成划线的方法,它包括下述步骤:制备出包括通过半导体晶片生产过程而于半导体表面上图案化形成的许多半导体器件的半导体晶片;于此半导体晶片表面施加透明膜以覆盖住所有这许多半导体器件;将具有此透明膜的半导体晶片置于规定的台上,使此半导体晶片的背面背离此规定的台;沿着将半导体晶片分成许多半导体芯片的划线形成线条,连续地以激光束加热此规定的台上半导体晶片的背面以形成激点,加热至低于半导体晶片软化点的温度,同时连续地沿此划线形成线条冷却激点附近的区域。 |
地址 |
日本大阪府 |