| 发明名称 | 用于实时测定加工过程中工件的原位发射率的系统和方法 | ||
| 摘要 | 一个用于测出在热加工装置(22)的加热室(74)内的工件(w)在加工过程中的反射率的系统(10)和方法。该系统首先直接求出在热加工装置的加热室(74)外部的工件反射率，然后通过使外部晶片反射率与在加热室内的晶片反射辐射强度相关，求出在热加工装置(22)的加热室(74)内的工件在加工过程中的反射率。 | ||
| 申请公布号 | CN1311226C | 申请公布日期 | 2007.04.18 |
| 申请号 | CN00117951.9 | 申请日期 | 2000.03.29 |
| 申请人 | 易通公司 | 发明人 | J·P·赫布;A·沙基 |
| 分类号 | G01J5/00(2006.01);H01L21/66(2006.01);H01L21/205(2006.01);H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | G01J5/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 梁永;陈景峻 |
| 主权项 | 1.一种用于实时测定在热加工装置的加热室内加工期间的半导体晶片发射率的方法，所说的方法包括以下步骤：求出在热加工装置的加热室外部的晶片的反射率，测出当晶片被置于热加工装置的加热室内时晶片反射的辐射强度，使求出的在热加工装置的加热室外部的晶片的反射率与测出的晶片被置于加热室内时的晶片反射的辐射强度相关，以求得加热室内的晶片的反射率，及从相关的在热加工装置内部的晶片的反射率，测出在加工过程中实时的晶片发射率。 | ||
| 地址 | 美国俄亥俄州 | ||