发明名称 |
具有附加源/漏绝缘层的共面薄膜晶体管 |
摘要 |
一种共面薄膜晶体管TFT(22)及其制造方法,其中,在源极接触(30)和漏极接触(32)上设置附加绝缘层,并且将该附加绝缘层的第一区域(34)限定为基本占据与源极接触(30)相同面积,该附加绝缘层的第二区域(36)基本占据与漏极接触(32)相同面积。这样趋于减小栅(62)源电容和栅(62)漏电容。在有些结构中,无需任何附加掩模或限定步骤即可实现。 |
申请公布号 |
CN1950949A |
申请公布日期 |
2007.04.18 |
申请号 |
CN200580013661.7 |
申请日期 |
2005.04.26 |
申请人 |
皇家飞利浦电子股份有限公司 |
发明人 |
K·R·怀特;I·D·弗伦奇 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
顾珊;梁永 |
主权项 |
1、一种共面薄膜晶体管,TFT,包括:衬底(24);多个半导体层(26,28)和第一金属层,其在衬底(24)上沉积并且限定用于提供沟道区(42),源极接触(30)和漏极接触(32);第一绝缘层,其设置在源极接触(30)和漏极接触(32)上,并且限定为使得第一绝缘层的第一区域(34)基本占据与源极接触(30)相同的面积,第一绝缘层的第二区域(36)基本占据与漏极接触(32)相同的面积;第二绝缘层(46),其设置在沟道区(42)以及第一绝缘层的第一(34)和第二(36)区域上;以及第二金属层,其设置在第二绝缘层(46)上,并且限定用于提供栅极(62)。 |
地址 |
荷兰艾恩德霍芬 |