| 发明名称 | SiC单晶的生长方法和由该方法生长的SiC单晶 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可以以实用的生长速度生长可以用作半导体材料的低缺陷、低杂质的SiC单晶的4H－SiC单晶外延生长方法以及由该得到的4H－SiC单晶。本发明的方法包括在使4H－SiC单晶衬底的外延生长面相对于4H－SiC单晶的(0001)面在<11－20>轴方向上以至少12度且低于30度的偏角倾斜的同时通过外延生长在所述衬底上生长4H－SiC单晶。 | ||
| 申请公布号 | CN1950548A | 申请公布日期 | 2007.04.18 |
| 申请号 | CN200580015054.4 | 申请日期 | 2005.05.13 |
| 申请人 | 丰田自动车株式会社;六方有限公司 | 发明人 | 木本恒畅;盐见弘;齐藤广明 |
| 分类号 | C30B25/02(2006.01);C30B25/20(2006.01);C30B29/36(2006.01);C23C16/32(2006.01) | 主分类号 | C30B25/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王海川;樊卫民 |
| 主权项 | 1.一种SiC单晶生长方法，包括在使4H-SiC单晶衬底的外延生长面相对于4H-SiC单晶的(0001)面在<11-20>轴方向上以至少12度且低于30度的偏角倾斜的同时通过外延生长在所述衬底上生长4H-SiC单晶。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||