发明名称 |
具有修改的频带结构的非挥发存储器单元的操作方法及装置 |
摘要 |
一种具有一电荷储存结构的非挥发存储单元,非挥发存储单元以存储单元的基板区与存储单元的至少一电流负载节点间的测量电流(例如带间电流)进行读取。为了强化非挥发存储单元的操作,频带结构工程是用以改变存储器组件的主体部以及另一支持测量电流的存储器组件间的频带结构。 |
申请公布号 |
CN1949521A |
申请公布日期 |
2007.04.18 |
申请号 |
CN200610008510.9 |
申请日期 |
2006.02.10 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
叶致锴;蔡文哲 |
分类号 |
H01L27/115(2006.01);H01L21/8247(2006.01);G11C16/04(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01) |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
任永武 |
主权项 |
1.一种非挥发存储器,包括:一基板区,该基板区包括一源极区及一漏极区,该基板区的一主体部具有一第一频带结构,该基板区的一测量部具有一第二频带结构,该第二频带结构与该第一频带结构不同;一电荷储存结构;一个或多个介电结构,该些介电结构至少部分位于该电荷储存结构及该基板区之间,且该些介电结构至少部分位于该电荷储存结构及一栅极电压的来源之间;一栅极,提供该栅极电压;以及一逻辑电路,该逻辑电路施加一第一偏压布置,以决定该电荷储存结构的一电荷储存状态,并测量该基板区与至少该源极区或该漏极区其中之一间的一电流,以决定该电荷储存结构的该电荷储存状态;其中,至少部分的该电流通过该基板区的该测量部。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行路16号 |