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发明名称 MOS TRANSISTOR EQUIPPED WITH DOUBLE GATE AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF
摘要
申请公布号 KR100711000(B1) 申请公布日期 2007.04.17
申请号 KR20050113973 申请日期 2005.11.28
申请人 DONGBU ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 YUN, HYUNG SUN
分类号 H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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