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发明名称
半导体元件及其制造方法
摘要
一种半导体元件,系具备单晶矽基板(101)、设于该基板表面之碳化矽层(102)、接合于该碳化矽层所设之Ⅲ族氮化物半导体接合层(103)、及于该Ⅲ族氮化物半导体接合层上由Ⅲ族氮化物半导体所构成的超晶格构造层(104),其构成为:碳化矽层系一立方晶且晶格常数超过0.436nm且为0.460nm以下,在组成上富含矽的非化学计量之组成的层,该Ⅲ族氮化物半导体接合层系组成为AlXGaYInZN1-αMα(0≦X,Y,Z≦1;X+Y+Z=1;0≦α<1;M为氮以外之第V族元素)。
申请公布号
TW200715617
申请公布日期
2007.04.16
申请号
TW095128967
申请日期
2006.08.08
申请人
昭和电工股份有限公司;学校法人同志社
发明人
大忠;宇田川隆
分类号
H01L33/00(2006.01)
主分类号
H01L33/00(2006.01)
代理机构
代理人
何金涂;何秋远
主权项
地址
日本
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