发明名称 用于降低半导体元件内之操作电压的结构
摘要 一种发光元件,其系包含:一工作区,其系经组态成可因应注入的电荷而产生光线;以及,一n型材料层与一p型材料层,其中该n型材料层与该p型材料层中之至少一层至少用两种掺杂物掺杂,该等掺杂物中之至少一种有比其他该等掺杂物之游离能高的游离能。
申请公布号 TW200715616 申请公布日期 2007.04.16
申请号 TW095128650 申请日期 2006.08.04
申请人 安华高科技ECBU IP()公司 发明人 罗宾斯;列斯特;米勒;波尔
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 新加坡