| 摘要 |
本发明的课题是在于提供一种可低减自我加热效应(self-heating effect)，基板飘移效应亦可解消之半导体装置及其制造力法。解决手段系其有SDON电晶体100，该SDON电晶体100包含：隔着闸极氧化膜21来形成于Si基板1上的Si层10之闸极电极23；及夹着闸极电极23来形成于Si层10之源极层27a及汲极层27b，在源极层27a与Si基板1之间、及汲极层27b与Si基板1之间分别存在空洞部15，且在闸极电极23下的Si层10与Si基板1之间不存在空洞部。由于闸极电极23下的Si层10与Si基板1连接，因此与SON电晶体相较之下，可低减自我加热效应。又，由于本体电位是被固定于Si基板1，因此可解消基板飘移效应。 |
