防止介电层中掺杂之硼扩散到基板之中的方法及半导体元件

摘要

本发明提供一种可防止介电层中掺杂之硼扩散到基板之中的方法，首先在基板上形成分别含有至少一闸极的记忆体阵列区及周边电路区，其中记忆体阵列区的图案密度大于周边电路区。然后在记忆体阵列区及周边电路区上形成阻障层，接着在周边电路区上形成无掺杂的氧化物层，最后在记忆体阵列区及周边电路区沉积含硼的矽玻璃。本发明亦关于一种由上述方法所制成之含有无掺杂的氧化物层的半导体元件。