具复数个浮置闸及一通道连接区域之非挥发性记忆体

摘要

一记忆体单元(110)包含复数个浮置闸(120L,120R)。通道区域(170)包含复数个次区域(220L,220R)与各自之浮置闸相邻，且包含位于浮置闸间的一连接区域(210)。连接区域具有与源极/汲极区域(160)相同的导电类型，以增加通道导电性。因此，即使浮置闸间的内闸极介电层(144)变厚，使控制闸极(104)的通道内电场减弱，浮置闸仍可靠近而放置在一起。