二位元细胞反及闸之氮化矽捕捉记忆体

摘要

一种非挥发性记忆体阵列，包含具有一主表面之一半导体基材、一第一源极/汲极区域及一第二源极/汲极区域。第二源极/汲极区域与第一源极/汲极区域分隔。一井区域位于一部份半导体基材中，第一源极/汲极区域与第二源极/汲极区域之间。复数个记忆体细胞，位于井区域之上的主表面之上。每一记忆体细胞包含一第一氧化层形成于基材的主表面之上；一电荷储存层，位于相对于半导体基材的主表面的第一氧化层之上；以及一第二氧化层，位于相对于半导体基材的主表面之电荷储存层之上。复数个字元线，位于相对于半导体基材的主表面之第二氧化层之上。