快速热制程的方法及其制造半导体元件的方法

摘要

本发明是有关于一种快速热制程的方法，以降低位在晶圆中心与晶圆边缘的金氧半场效电晶体之启始电压差异。本发明透过使晶圆边缘之加热温度高于对晶圆中心之加热温度，或是使加热器对晶圆边缘之加热时间长于对该晶圆中心之加热时间，以缩小位于晶圆之中心与边缘的金氧半场效电晶体之启始电压差异。