崩溃光二极体

摘要

本发明系提供可提高生产力之崩溃光二极体。本发明系在n型InP基板1上，将n型InP缓冲层2、n型GaInAs光吸收层3、n型GaInAsP迁移层4、n型InP电场调节层5、n型InP崩溃倍增层6、n型AlInAs窗层7、p型GaInAs接触层8依照顺序予以成长。接着，在沿着受光区域外周之环状区域将Be进行离子植入，并利用热处理使之活性化而形成倾斜型接合，以作为用以防止边缘崩溃之p型周边区域9。并且，在前述受光区域，将Zn选择地进行热扩散到n型InP崩溃倍增层6，而形成p型导电区域10。