半导体装置及积体电路装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，包括：一基底；一第一介电层位于上述基底上，其介电常数小于2.7；及一第二介电层，位于上述第一介电层上；一介层孔，位于上述第一介电层中；一导线，填满于上述沟槽开口内，该导线并电性连接上述介层孔；一第三介电层，位于上述第二介电层和上述导线之间；以及一第四介电层，位于上述第二介电层上。上述第二介电层最好为具有一超低介电常数之多孔性介电层材料，上述第二介电层之第二介电常数小于上述第一介电常数、上述第三介电常数、以及上述第四介电常数。