用于高速及高频装置之晶片之间静电放电保护结构

摘要

本发明系关于用于高速及高频装置之晶片之间静电放电(ESD)保护结构，其含有一或多个直接的、晶片之间的讯号传输路径。具体言之，本发明系关于一种结构，其含有：(1)一第一晶片，其包括一第一电路；(2)一第二晶片，其包括一第二电路；(3)一中间绝缘体层，其位于该第一与该第二晶片之间，其中该第一及该第二电路形成一穿过该中间绝缘体层之用于传输讯号的讯号传输路径。在该结构中提供一在该第一晶片与该第二晶片之间穿过该中间绝缘体层的静电放电(ESD)保护路径，以保护该讯号传输路径免受ESD损坏。