制作开口与接触洞之方法

摘要

首先提供一半导体基底，且上述半导体基底由下而上依序包含有一蚀刻停止层与至少一介电层。接着图案化上述介电层以于上述介电层中形成复数个开口，并曝露出位于上述开口底部之蚀刻停止层。随后形成一介电薄膜，覆盖于上述介电层之表面、上述开口之内壁与曝露出之蚀刻停止层上。最后去除位于上述介电层以及上述蚀刻停止层上之介电薄膜。