| 摘要 |
【开示内容】一个半导体记忆装置包含利用临限值电压的差异来记忆资料的复数记忆单元、记忆体阵列1、控制电路11、读取部50及写入部50，其中记忆体阵列1包含一个以上之参考单元，该参考单元是利用临限值电压的差异来记忆对应记忆单元的状态表示资料，该控制电路11根据相对应于与读取对象的上述记忆单元邻近之记忆单元的上述参考单元所记忆的资料，来决定读取电压，读取部50利用上述已决定的读取电压，对上述读取对象之记忆单元执行读取，写入部50在写入状态中时，执行写入至写入对象的上述记忆单元，将用以表示上述被写入的记忆单元处于写入状态的资料，写入到相对应于写入对象的上述记忆单元的上述参考单元。 |
