发明名称 程式化记忆体元件之系统及方法
摘要 一种多阶细胞(MLC),可藉由如每一细胞中两端的每一端储存两位元以储存4位元。每一端可以储存,如四种不同电流阶状态,其藉由在程式化期间电洞注入如氮化层中的数目来决定。在一提供的电位,当更多的电洞注入,则电流减少。因此,电流可以是低的,在一实施例中藉由使用一电流放大器得到益处,此电流放大器可以是双载子接面电晶体(BJT)、金氧半电晶体(MOS)或其他类型的元件。
申请公布号 TW200715290 申请公布日期 2007.04.16
申请号 TW094141594 申请日期 2005.11.25
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 叶致锴;蔡文哲;廖意瑛
分类号 G11C16/04(2006.01) 主分类号 G11C16/04(2006.01)
代理机构 代理人 李贵敏
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号