发明名称 | 程式化记忆体元件之系统及方法 | ||
摘要 | 一种多阶细胞(MLC),可藉由如每一细胞中两端的每一端储存两位元以储存4位元。每一端可以储存,如四种不同电流阶状态,其藉由在程式化期间电洞注入如氮化层中的数目来决定。在一提供的电位,当更多的电洞注入,则电流减少。因此,电流可以是低的,在一实施例中藉由使用一电流放大器得到益处,此电流放大器可以是双载子接面电晶体(BJT)、金氧半电晶体(MOS)或其他类型的元件。 | ||
申请公布号 | TW200715290 | 申请公布日期 | 2007.04.16 |
申请号 | TW094141594 | 申请日期 | 2005.11.25 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 叶致锴;蔡文哲;廖意瑛 |
分类号 | G11C16/04(2006.01) | 主分类号 | G11C16/04(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 李贵敏 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |