半导体发光装置及其制造方法

摘要

本发明揭示一种半导体发光装置，其系藉由层压包括一AlGaInP主动层之一磊晶层30与透射从该主动层衍生的光之一第二晶圆23而形成。该磊晶层30与该第二晶圆23之晶轴一般系互相对齐，而且在相对于该第二晶圆23之一横面{100}-15°至+15°之范围内。此半导体发光装置，其系外部发射效率较高之一接合型装置，其允许容易而高良率地在整个晶圆面上获得均匀的晶圆焊接而不会产生焊接故障及晶圆裂缝。